功率半导体产品交付周期延长，部分IDM大厂产品交期已达30周，MOSFET、IGBT等主流产品供应紧张加剧。由于全球成熟制程产能满载，下半年产能紧张状况可能进一步加剧。英飞凌在涨价通知中提到，AI数据中心需求推动其功率开关和集成电路产品需求激增，德州仪器财报显示其数据中心业务收入同比增长约90%。不同技术和品类的功率器件市场动态各异，MOSFET产品在消费电子和服务器电源中应用广泛，高压MOSFET尤为紧缺。IGBT技术升级关注模块化和车规级可靠性提升，未来五年IGBT将承担全球约55%的电动乘用车电控任务，本土企业如士兰微、捷捷微电在车规级IGBT和MOSFET领域发力，订单量大幅增长。成本端压力显著，2026年全球8英寸晶圆代工厂产能利用率将大幅攀升至85%-90%，部分晶圆厂已通知客户代工价上调5%-20%。封测端订单激增，中国台湾封测大厂产能利用率接近满载，近期陆续涨价，涨幅高达30%。供需失衡导致价格上涨，国际芯片巨头率先涨价，国内厂商跟进，形成涨价潮。德州仪器部分产品价格上调5%-85%，英飞凌受AI数据中心需求影响，4月1日起调整部分产品价格，最高涨幅达25%。国内厂商士兰微、华润微等纷纷跟进涨价。功率半导体正从边缘走向核心，英飞凌预计2027财年AI数据中心相关收入将达25亿欧元。NVIDIA将800V高压直流置于下一代AI工厂核心架构，催生高压功率元件需求。SiC和GaN器件迎来产能释放，2026年全球SiC功率元件市场规模有望达53.3亿美元，GaN功率器件市场规模将达9.2亿美元。国产力量崛起，英诺赛科成为NVIDIA 800V系统供应商，天岳先进碳化硅衬底市场占有率跃居全球首位。新能源汽车和光储市场回暖，800V高压平台在新能源汽车中普及，拉动SiC和IGBT等高端功率半导体需求。产业链上下游紧急应对需求爆发，日本厂商整合加速，英飞凌在德累斯顿建设Smart Power Fab，意法半导体在意大利新建碳化硅工厂。国内企业如时代电气、华润微、斯达半导等加速扩产。8英寸成为扩产重点，全球碳化硅产业向200毫米晶圆过渡，大尺寸晶圆有助于提升单片产出、降低单位成本。但扩产需要时间，需求井喷与产能滞后的矛盾导致供需失衡加剧。海外部分8英寸产线转向先进封装或升级至12英寸，导致传统成熟制程功率器件供给减少。未来一到两年内，功率半导体供需紧张可能持续加剧。英飞凌连续六年蝉联全球车用半导体市场份额第一，中国公司士兰微和比亚迪半导体跻身前十，国际竞争力增强。涨价潮已启动，扩产正在进行，产业链上下游需协同应对功率半导体供需再平衡。
发表回复